二、特征:
－全静态CMOS 设计
－8 位数据总线
－ 片上FLASH ROM 大小: 2.0 K
－ 内部RAM 大小: 256 字节
－内部EEPROM 大小: 256 字节
－37 单字节指令
－14-位指令宽度
－ 8 X堆栈
－ 工作电压: 2.5 V ~ 5.5 V (PEDH 关)
－ 4.5 V ~ 5.5 V (PEDH 开)
－工作频率: DC ~ 20 MHz
－ 间接和直接寻址模式
－上电复位
－ 电源边沿检测复位
－ 掉电睡眠模式SLEEP
－ 捕捉/比较/PWM 模块
－ SSP 模块
－USART 模块
－14 中断源:
－外部INT 引脚
－TMR0 , TMR1 , TMR2 定时器中断
－A/D 转换中断
－PA/PB 中断
－CCP1 中断
－SSP 中断
－USART 中断
－2 比较器中断
－EEPROM 写完成中断
－ 比较器模块
－ A/D 转换模块:
－ 13 通道10 位AD 模块
